IRLB4030PBF Prezos (USD) [20330unidades de stock]
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- 1,000 pcs$0.86923
- Número de peza:
- IRLB4030PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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IRLB4030PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRLB4030PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
180A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
130nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
11360pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
370W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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