DMJ70H600SH3 Prezos (USD) [54655unidades de stock]
- 1 pcs$0.71540
- 75 pcs$0.66690
- Número de peza:
- DMJ70H600SH3
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET BVDSS 651V 800V TO251.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
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DMJ70H600SH3 Atributos do produto
Número de peza :
DMJ70H600SH3
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
700V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
18.2nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
643pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
113W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-251
Paquete / Estuche :
TO-251-3, IPak, Short Leads
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