FQD2N60CTM Prezos (USD) [227124unidades de stock]
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- Número de peza:
- FQD2N60CTM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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- Ventaxa competitiva:
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FQD2N60CTM Atributos do produto
Número de peza :
FQD2N60CTM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
235pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-Pak
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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