Número de peza :
PMV65UN,215
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.2A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
76 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
3.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
183pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
310mW (Ta), 2.17W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-236AB (SOT23)
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3