IPA65R1K5CEXKSA1 Prezos (USD) [171114unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPA65R1K5CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V TO220-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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IPA65R1K5CEXKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPA65R1K5CEXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 650V TO220-3
Serie :
CoolMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.2A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 130µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
225pF @ 100V
Función FET :
Super Junction
Disipación de potencia (máx.) :
30W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220 Full Pack
Paquete / Estuche :
TO-220-3 Full Pack
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