Vishay Semiconductor Diodes Division - BAL99-G3-18

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Número de peza:
BAL99-G3-18
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 250mA 6ns 2A IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos: rectificadores de ponte and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAL99-G3-18 Atributos do produto

Número de peza : BAL99-G3-18
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
Serie : Automotive, AEC-Q101
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 70V
Actual - Media rectificada (Io) : 250mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.25V @ 150mA
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 6ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 2.5µA @ 70V
Capacitancia @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-23
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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