IDW30E60AFKSA1 Prezos (USD) [45570unidades de stock]
- 1 pcs$0.85803
- 240 pcs$0.85289
- Número de peza:
- IDW30E60AFKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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IDW30E60AFKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IDW30E60AFKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
60A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2V @ 30A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
143ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
40µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-3
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 175°C
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