BAS116E6433HTMA1 Prezos (USD) [3737866unidades de stock]
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- Número de peza:
- BAS116E6433HTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - JFETs, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Transistores - Unión programable and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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BAS116E6433HTMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BAS116E6433HTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Serie :
-
Estado da parte :
Last Time Buy
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
80V
Actual - Media rectificada (Io) :
250mA (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.25V @ 150mA
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
1.5µs
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5nA @ 75V
Capacitancia @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23-3
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)
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