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- Número de peza:
- NTMSD6N303R2SG
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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- Ventaxa competitiva:
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NTMSD6N303R2SG Atributos do produto
Número de peza :
NTMSD6N303R2SG
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
Serie :
FETKY™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
950pF @ 24V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operación :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOIC
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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