ON Semiconductor - NTMSD6N303R2SG

KEY Part #: K6413340

[13133unidades de stock]


    Número de peza:
    NTMSD6N303R2SG
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTMSD6N303R2SG Atributos do produto

    Número de peza : NTMSD6N303R2SG
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrición : MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
    Serie : FETKY™
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 6A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 30nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 950pF @ 24V
    Función FET : Schottky Diode (Isolated)
    Disipación de potencia (máx.) : 2W (Ta)
    Temperatura de operación : -
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : 8-SOIC
    Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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