HTNFET-DC Prezos (USD) [230unidades de stock]
- 1 pcs$214.11918
- Número de peza:
- HTNFET-DC
- Fabricante:
- Honeywell Aerospace
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
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HTNFET-DC Atributos do produto
Número de peza :
HTNFET-DC
Fabricante :
Honeywell Aerospace
Descrición :
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Serie :
HTMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
-
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4.3nC @ 5V
Vgs (máximo) :
10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
290pF @ 28V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
50W (Tj)
Temperatura de operación :
-
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
-
Paquete / Estuche :
8-CDIP Exposed Pad
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