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- Número de peza:
- FQA18N50V2
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQA18N50V2 electronic components. FQA18N50V2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQA18N50V2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQA18N50V2 Atributos do produto
Número de peza :
FQA18N50V2
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
20A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
265 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
55nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3290pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
277W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3P
Paquete / Estuche :
TO-3P-3, SC-65-3
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