Número de peza :
TK12J60U(F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
14nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
720pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
144W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3P(N)
Paquete / Estuche :
TO-3P-3, SC-65-3