SIZ328DT-T1-GE3 Prezos (USD) [229895unidades de stock]
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- Número de peza:
- SIZ328DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: SCRs and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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SIZ328DT-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIZ328DT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Potencia: máx :
2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
8-Power33 (3x3)
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