FDB3652 Prezos (USD) [67009unidades de stock]
- 1 pcs$0.58642
- 800 pcs$0.58350
- Número de peza:
- FDB3652
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDB3652 electronic components. FDB3652 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB3652, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDB3652 Atributos do produto
Número de peza :
FDB3652
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Ta), 61A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 61A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
53nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2880pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D²PAK
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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