DMC3016LDV-13 Prezos (USD) [320618unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMC3016LDV-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET BVDSS 31V 40V POWERDI333.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMC3016LDV-13 electronic components. DMC3016LDV-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMC3016LDV-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMC3016LDV-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMC3016LDV-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET BVDSS 31V 40V POWERDI333
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel Complementary
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
21A (Tc), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 7A, 10V, 25 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
9.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Potencia: máx :
900mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerDI3333-8
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