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- Número de peza:
- BSO215C
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSO215C electronic components. BSO215C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO215C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSO215C Atributos do produto
Número de peza :
BSO215C
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
Serie :
SIPMOS®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 10µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
11.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
246pF @ 25V
Potencia: máx :
2W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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