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- Número de peza:
- FDG6301N-F085P
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDG6301N-F085P electronic components. FDG6301N-F085P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG6301N-F085P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDG6301N-F085P Atributos do produto
Número de peza :
FDG6301N-F085P
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
9.5pF @ 10V
Potencia: máx :
300mW
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos de provedores :
SC-70-6
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