Microsemi Corporation - APTM120A65FT1G

KEY Part #: K6524309

[3875unidades de stock]


    Número de peza:
    APTM120A65FT1G
    Fabricante:
    Microsemi Corporation
    Descrición detallada:
    MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM120A65FT1G Atributos do produto

    Número de peza : APTM120A65FT1G
    Fabricante : Microsemi Corporation
    Descrición : MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
    Función FET : Standard
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 1200V (1.2kV)
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 16A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 780 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 300nC @ 10V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 7736pF @ 25V
    Potencia: máx : 390W
    Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Chassis Mount
    Paquete / Estuche : SP1
    Paquete de dispositivos de provedores : SP1