ON Semiconductor - FDBL86063_F085

KEY Part #: K6401075

[3176unidades de stock]


    Número de peza:
    FDBL86063_F085
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH TRENCH PTNG 100V.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Zener - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Single ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDBL86063_F085 Atributos do produto

    Número de peza : FDBL86063_F085
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrición : MOSFET N-CH TRENCH PTNG 100V
    Serie : PowerTrench®
    Estado da parte : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 240A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 80A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 95nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 5120pF @ 50V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 357W (Tj)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : 8-HPSOF
    Paquete / Estuche : 8-PowerSFN

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