ON Semiconductor - NDS355AN_G

KEY Part #: K6401138

[8835unidades de stock]


    Número de peza:
    NDS355AN_G
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NDS355AN_G Atributos do produto

    Número de peza : NDS355AN_G
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrición : MOSFET N-CH 30V 1.7A SSOT3
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1.7A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 1.9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 5nC @ 5V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 195pF @ 15V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 500mW (Ta)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : SuperSOT-3
    Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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