FDMS3669S Prezos (USD) [293170unidades de stock]
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- Número de peza:
- FDMS3669S
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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FDMS3669S Atributos do produto
Número de peza :
FDMS3669S
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
13A, 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.7V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
24nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1605pF @ 15V
Potencia: máx :
1W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
Power56
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