Fabricante :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
19A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
13nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
820pF @ 15V
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivos de provedores :
8-DFN-EP (5x6)