Toshiba Semiconductor and Storage - TK7A90E,S4X

KEY Part #: K6418195

TK7A90E,S4X Prezos (USD) [55337unidades de stock]

  • 1 pcs$0.77767
  • 50 pcs$0.62782
  • 100 pcs$0.56502
  • 500 pcs$0.43945
  • 1,000 pcs$0.34443

Número de peza:
TK7A90E,S4X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 900V TO220SIS.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK7A90E,S4X electronic components. TK7A90E,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK7A90E,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK7A90E,S4X Atributos do produto

Número de peza : TK7A90E,S4X
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N-CH 900V TO220SIS
Serie : π-MOSVIII
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 900V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 7A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 700µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1350pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 45W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220SIS
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack