MMSD914T1G Prezos (USD) [2756305unidades de stock]
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- 75,000 pcs$0.00857
- 150,000 pcs$0.00714
- Número de peza:
- MMSD914T1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 200mA
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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MMSD914T1G Atributos do produto
Número de peza :
MMSD914T1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
200mA (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 10mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
4ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 75V
Capacitancia @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOD-123
Paquete de dispositivos de provedores :
SOD-123
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97