IXFN360N15T2 Prezos (USD) [2523unidades de stock]
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- 10 pcs$16.67648
- 25 pcs$15.32411
- 100 pcs$14.24244
- 250 pcs$13.07058
- Número de peza:
- IXFN360N15T2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 150V 310A SOT227.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IXFN360N15T2 Atributos do produto
Número de peza :
IXFN360N15T2
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
Serie :
GigaMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
310A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
715nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
47500pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1070W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-227B
Paquete / Estuche :
SOT-227-4, miniBLOC
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