IXYS - IXTH30N60P

KEY Part #: K6397832

IXTH30N60P Prezos (USD) [12845unidades de stock]

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Número de peza:
IXTH30N60P
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Unión programable, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH30N60P Atributos do produto

Número de peza : IXTH30N60P
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
Serie : PolarHV™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 30A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 5050pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 540W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247 (IXTH)
Paquete / Estuche : TO-247-3

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