[8451unidades de stock]
- Número de peza:
- IPC60R600E6UNSAWNX6SA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH BARE DIE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - JFETs, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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IPC60R600E6UNSAWNX6SA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPC60R600E6UNSAWNX6SA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH BARE DIE
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
-
Tecnoloxía :
-
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
-
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
-
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
-
Tipo de montaxe :
-
Paquete de dispositivos de provedores :
-
Paquete / Estuche :
-
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