IXTP01N100D Prezos (USD) [20874unidades de stock]
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- 500 pcs$1.28755
- 1,000 pcs$1.03020
- Número de peza:
- IXTP01N100D
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Finalidade especial and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
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IXTP01N100D Atributos do produto
Número de peza :
IXTP01N100D
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100mA (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
120pF @ 25V
Función FET :
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.) :
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220AB
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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