Vishay Siliconix - SIUD402ED-T1-GE3

KEY Part #: K6421620

SIUD402ED-T1-GE3 Prezos (USD) [1073108unidades de stock]

  • 1 pcs$0.03447

Número de peza:
SIUD402ED-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SIUD402ED-T1-GE3 electronic components. SIUD402ED-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIUD402ED-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIUD402ED-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIUD402ED-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 730 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 1.2nC @ 8V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 16pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.25W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® 0806
Paquete / Estuche : PowerPAK® 0806