Diodes Incorporated - DMP1200UFR4-7

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Número de peza:
DMP1200UFR4-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP1200UFR4-7 Atributos do produto

Número de peza : DMP1200UFR4-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrición : MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 5.8nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 514pF @ 5V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 480mW (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : X2-DFN1010-3
Paquete / Estuche : 3-XFDFN