Número de peza :
IPI084N06L3GXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH TO262-3
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 34µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
29nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4900pF @ 30V
Disipación de potencia (máx.) :
79W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO262-3-1
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA