Número de peza :
SISS10DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
60A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
75nC @ 10V
Vgs (máximo) :
+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3750pF @ 20V
Disipación de potencia (máx.) :
57W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN