Infineon Technologies - IRD3CH101DB6

KEY Part #: K6442035

[3271unidades de stock]


    Número de peza:
    IRD3CH101DB6
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - IGBTs - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRD3CH101DB6 Atributos do produto

    Número de peza : IRD3CH101DB6
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de diodo : Standard
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 1200V
    Actual - Media rectificada (Io) : 200A
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 2.7V @ 200A
    Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 360ns
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 3.6µA @ 1200V
    Capacitancia @ Vr, F : -
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : Die
    Paquete de dispositivos de provedores : Die
    Temperatura de funcionamento: unión : -40°C ~ 175°C

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