[3271unidades de stock]
- Número de peza:
- IRD3CH101DB6
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: SCRs, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Tiristores: TRIAC ...
- Ventaxa competitiva:
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IRD3CH101DB6 Atributos do produto
Número de peza :
IRD3CH101DB6
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1200V
Actual - Media rectificada (Io) :
200A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2.7V @ 200A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
360ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
3.6µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
Die
Paquete de dispositivos de provedores :
Die
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 175°C
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