Infineon Technologies - IDK04G65C5XTMA1

KEY Part #: K6442127

[3240unidades de stock]


    Número de peza:
    IDK04G65C5XTMA1
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO263-2.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IDK04G65C5XTMA1 Atributos do produto

    Número de peza : IDK04G65C5XTMA1
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO263-2
    Serie : CoolSiC™
    Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
    Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 650V
    Actual - Media rectificada (Io) : 4A (DC)
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.8V @ 4A
    Velocidade : No Recovery Time > 500mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 0ns
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 670µA @ 650V
    Capacitancia @ Vr, F : 130pF @ 1V, 1MHz
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO263-2
    Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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