PMXB360ENEAZ Prezos (USD) [735924unidades de stock]
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- Número de peza:
- PMXB360ENEAZ
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - JFETs ...
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PMXB360ENEAZ Atributos do produto
Número de peza :
PMXB360ENEAZ
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.7V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4.5nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
130pF @ 40V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DFN1010D-3
Paquete / Estuche :
3-XDFN Exposed Pad
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