Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP31C-E3/C

KEY Part #: K6440302

EGP31C-E3/C Prezos (USD) [247410unidades de stock]

  • 1 pcs$0.14950

Número de peza:
EGP31C-E3/C
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 150V 3A DO201AD. Rectifiers 3A,150V,50NS
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - JFETs, Tiristores: TRIAC, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP31C-E3/C Atributos do produto

Número de peza : EGP31C-E3/C
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 150V 3A DO201AD
Serie : SUPERECTIFIER®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 150V
Actual - Media rectificada (Io) : 3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 950mV @ 3A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 150V
Capacitancia @ Vr, F : 117pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : DO-201AD, Axial
Paquete de dispositivos de provedores : DO-201AD
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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