Infineon Technologies - AUXFN8403TR

KEY Part #: K6402272

[2761unidades de stock]


    Número de peza:
    AUXFN8403TR
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 40V PQFN.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos - RF ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    AUXFN8403TR Atributos do produto

    Número de peza : AUXFN8403TR
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : MOSFET N-CH 40V PQFN
    Serie : HEXFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 95A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 100µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 98nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3174pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 94W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : 8-PQFN (5x6)
    Paquete / Estuche : 8-TQFN Exposed Pad