Infineon Technologies - IRFI1310NPBF

KEY Part #: K6402268

IRFI1310NPBF Prezos (USD) [44532unidades de stock]

  • 1 pcs$0.80275
  • 10 pcs$0.72331
  • 100 pcs$0.58116
  • 500 pcs$0.45200
  • 1,000 pcs$0.37451

Número de peza:
IRFI1310NPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Arrays and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IRFI1310NPBF electronic components. IRFI1310NPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI1310NPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFI1310NPBF Atributos do produto

Número de peza : IRFI1310NPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 24A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1900pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 56W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220AB Full-Pak
Paquete / Estuche : TO-220-3 Full Pack

Tamén pode estar interesado