IPI65R280E6XKSA1 Prezos (USD) [56694unidades de stock]
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- 500 pcs$0.63269
- Número de peza:
- IPI65R280E6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - RF and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPI65R280E6XKSA1 electronic components. IPI65R280E6XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI65R280E6XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPI65R280E6XKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPI65R280E6XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
Serie :
CoolMOS™ E6
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
13.8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 440µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
950pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
104W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO262-3-1
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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