IPP023NE7N3GXKSA1 Prezos (USD) [14520unidades de stock]
- 1 pcs$2.83811
- Número de peza:
- IPP023NE7N3GXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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IPP023NE7N3GXKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPP023NE7N3GXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
75V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 273µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
206nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
14400pF @ 37.5V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220-3-1
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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