Comchip Technology - CDBJSC5650-G

KEY Part #: K6441873

CDBJSC5650-G Prezos (USD) [37862unidades de stock]

  • 1 pcs$1.03271

Número de peza:
CDBJSC5650-G
Fabricante:
Comchip Technology
Descrición detallada:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Unión programable, Diodos - Zener - Single, Diodos: rectificadores de ponte and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJSC5650-G Atributos do produto

Número de peza : CDBJSC5650-G
Fabricante : Comchip Technology
Descrición : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 650V
Actual - Media rectificada (Io) : 5A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.7V @ 5A
Velocidade : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 100µA @ 650V
Capacitancia @ Vr, F : 430pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-220-2 Full Pack
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220F
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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