CDBDSC3650-G Prezos (USD) [57375unidades de stock]
- 1 pcs$0.68150
- Número de peza:
- CDBDSC3650-G
- Fabricante:
- Comchip Technology
- Descrición detallada:
- DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 3A 650V
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
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CDBDSC3650-G Atributos do produto
Número de peza :
CDBDSC3650-G
Fabricante :
Comchip Technology
Descrición :
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
650V
Actual - Media rectificada (Io) :
11A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.7V @ 3A
Velocidade :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 650V
Capacitancia @ Vr, F :
181pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores :
D-PAK (TO-252)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54