Comchip Technology - CDBDSC51200-G

KEY Part #: K6441829

CDBDSC51200-G Prezos (USD) [14190unidades de stock]

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Número de peza:
CDBDSC51200-G
Fabricante:
Comchip Technology
Descrición detallada:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 1200V
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBDSC51200-G Atributos do produto

Número de peza : CDBDSC51200-G
Fabricante : Comchip Technology
Descrición : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 1200V
Actual - Media rectificada (Io) : 18A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.7V @ 5A
Velocidade : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F : 475pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores : D-PAK (TO-252)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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