APT11N80BC3G Prezos (USD) [15456unidades de stock]
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- 10 pcs$2.62084
- 100 pcs$2.14894
- 500 pcs$1.74012
- 1,000 pcs$1.46758
- Número de peza:
- APT11N80BC3G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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APT11N80BC3G Atributos do produto
Número de peza :
APT11N80BC3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 680µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1585pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
156W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247 [B]
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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