Número de peza :
TK6Q60W,S1VQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6.2A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 310µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
390pF @ 300V
Función FET :
Super Junction
Disipación de potencia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I-PAK
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Stub Leads, IPak