Vishay Siliconix - SIB406EDK-T1-GE3

KEY Part #: K6421271

SIB406EDK-T1-GE3 Prezos (USD) [414489unidades de stock]

  • 1 pcs$0.08924
  • 3,000 pcs$0.08429

Número de peza:
SIB406EDK-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Finalidade especial and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SIB406EDK-T1-GE3 electronic components. SIB406EDK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB406EDK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIB406EDK-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIB406EDK-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 350pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® SC-75-6L Single
Paquete / Estuche : PowerPAK® SC-75-6L

Tamén pode estar interesado