Diodes Incorporated - DMN3190LDW-13

KEY Part #: K6522500

DMN3190LDW-13 Prezos (USD) [1192875unidades de stock]

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Número de peza:
DMN3190LDW-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrición detallada:
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3190LDW-13 Atributos do produto

Número de peza : DMN3190LDW-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrición : MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Función FET : Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 87pF @ 20V
Potencia: máx : 320mW
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-363