BSS159NH6327XTSA2 Prezos (USD) [540491unidades de stock]
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- Número de peza:
- BSS159NH6327XTSA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos - Zener - Arrays ...
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BSS159NH6327XTSA2 Atributos do produto
Número de peza :
BSS159NH6327XTSA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
Serie :
SIPMOS®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
230mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 26µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
1.4nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
39pF @ 25V
Función FET :
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.) :
360mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23-3
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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