EGP31B-E3/C Prezos (USD) [247410unidades de stock]
- 1 pcs$0.14950
- Número de peza:
- EGP31B-E3/C
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD. Rectifiers 3A,100V,50NS
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP31B-E3/C electronic components. EGP31B-E3/C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP31B-E3/C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGP31B-E3/C Atributos do produto
Número de peza :
EGP31B-E3/C
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Serie :
SUPERECTIFIER®
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
950mV @ 3A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
117pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
DO-201AD, Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-201AD
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C
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