Infineon Technologies - BSS84PH6327XTSA2

KEY Part #: K6418863

BSS84PH6327XTSA2 Prezos (USD) [1375314unidades de stock]

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Número de peza:
BSS84PH6327XTSA2
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Unión programable ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS84PH6327XTSA2 Atributos do produto

Número de peza : BSS84PH6327XTSA2
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
Serie : SIPMOS®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 170mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 1.5nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 19pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 360mW (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-23-3
Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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